AerosilR202 (SiO2)
气相二氧化硅(AerosilR202 (SiO2))
CAS:
化学式: SiO2
| 中文名 | 气相二氧化硅 |
| 英文名 | AerosilR202 (SiO2) |
| 别名 | 气相二氧化硅 |
| 英文别名 | AerosilR202 (SiO2) |
| 化学式 | SiO2 |
| 分子量 | 60.08 |
| 熔点 | >1600℃ |
| 沸点 | 2230℃ |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 敏感性 | Easily absorbing moisture |
| 外观 | 白色晶状体 |
| MDL号 | MFCD00011232 |
| 下游产品 | 二氧化硅 |
AerosilR202 (SiO2) - 介绍
具有令人感兴趣的增稠性、触变性以及巨大的外表面积。
最后更新：2022-10-16 17:30:54
AerosilR202 (SiO2) - 用途与合成方法
气相二氧化硅是指将硅源化合物在高温下分解，形成气体并在气相条件下沉积成固体二氧化硅薄膜的过程。它具有以下几个主要的用途和合成方法：
用途：
薄膜技术：气相二氧化硅可以通过化学气相沉积（CVD）方法制备薄膜，用于制造光学透明膜、隔热薄膜、防腐涂层等。
电子工业：它可用于制作高精度的绝缘体材料，如绝缘层、绝缘柱等。
微电子器件制造：气相二氧化硅可以作为材料用于半导体器件的制造，如制造晶体管、电容、太阳能电池等。
合成方法：
化学气相沉积（CVD）：通过在反应室中将硅源化合物（如硅烷、二硅甲烷等）与氧气或氧化剂反应，生成二氧化硅气体。然后将气体沉积在基底表面上，形成固体二氧化硅薄膜。
热分解法：将含有硅的化合物（如硅酮）加热至高温，使其分解产生二氧化硅气体，然后使用合适的方法将气体沉积在基底上。
这些方法能够生产高质量的气相二氧化硅薄膜，具有广泛的应用前景。
用途：
薄膜技术：气相二氧化硅可以通过化学气相沉积（CVD）方法制备薄膜，用于制造光学透明膜、隔热薄膜、防腐涂层等。
电子工业：它可用于制作高精度的绝缘体材料，如绝缘层、绝缘柱等。
微电子器件制造：气相二氧化硅可以作为材料用于半导体器件的制造，如制造晶体管、电容、太阳能电池等。
合成方法：
化学气相沉积（CVD）：通过在反应室中将硅源化合物（如硅烷、二硅甲烷等）与氧气或氧化剂反应，生成二氧化硅气体。然后将气体沉积在基底表面上，形成固体二氧化硅薄膜。
热分解法：将含有硅的化合物（如硅酮）加热至高温，使其分解产生二氧化硅气体，然后使用合适的方法将气体沉积在基底上。
这些方法能够生产高质量的气相二氧化硅薄膜，具有广泛的应用前景。
最后更新：2024-04-09 01:59:50
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