原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。就目前已发表的相关论文和报告可预知，该技术可能应用的主十朝妈妒条正要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）
2） 微电子机械系话合晚齐收坏低扬紧统（MEMS）
3） 光电子材料和器件
4来自） 集成电路互连线扩散阻挡层
5） 平板显示器（济讲国有机光发射二极管材料，OLED）
6） 互连线势垒层
7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）
8） DRAM、MRAM介电层
9） 嵌入式电容
10） 电磁记录磁头
11） 各类薄膜（<100nm）
原子层沉积止缩认状死环技术沉积出的相关薄膜材料
材料类别 沉积材料
Ⅱ-Ⅵ化合物 ZnS,ZnSe,ZnTe,ZnS1-冷干业顶吧财xSex,CaS,SrS,BaS,SrS1-xSex,CdS,CdTe离革供游转打因建推对矛,MnTe,HgT教e,Hg1-xCdxTe,Cd1-xMnxTeⅡ-Ⅵ基TFEL磷光材料 ZnS:M (M真规委绿议云导顺矿名=Mn,Tb,Tm),CaS袁类源下激含星针:M (M=Eu,Ce,Tb,Pb),SrS:M (M=Ce,Tb,Pb,Mn,Cu)
Ⅲ-V化合物 GaAs,AlAs,AlP,InP,GaP,InAs,AlxGa1-xAs,GaxIn1-xAs,GaxIn1-xP
氮（碳）化物 半导体/介电材料 AlN,GaN,I360问答nN,SiNx
导体 Ti宁间并今血除假测N(C),TaN(C),牛任使Ta3N5,NbN(北率提坚C),MoN(C)
氧化物 介电层 Al2O3,TiO2,ZrO2,HfO2,Ta2O5,Nb2O5,Y2O3,MgO,CeO2,SiO2,La2O3,SrTiO3,延督论几住立沿草标久适BaTiO3
透明导体/半导体 In2O3,In2O3:Sn,In2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOx
超导材料 YB2Cu3O7-x
其他三元材料 LaCoO3,LaNiO3
氟化物 CaF,SrF,ZnF
单质材料 Si,Ge,Cu,Mo,Pt战目种春买屋息,W,Co,Fe,Ni,Ru
其他 La2S3,PbS,In2S3,CuGaS2,SiC
