白色三角形结晶颗粒、白色小粒三角晶体
有六方晶系的a型和单斜晶系的p型
在氢氧流中加热至红色还原成一氧化镓,微溶于热酸及碱,不溶于水
相对密度为6. 48(a型)、5.88(p型),熔点1900℃
将三氯化镓溶于热水中,加入碳酸氢钠的高浓度热溶液,煮沸至镓盐全部转变为氢氧化镓沉淀,用热水洗涤.然后,于600℃灼烧,得p型氧化镓.
或将高纯金属镓作为阳极进行电解,使镓溶于5%~20%硫酸中,得到硫酸镓溶液.过滤后,在滤液中加氨水,加热浓缩,冷却得硫酸镓铵结晶.
用水反复重结晶,于105℃干燥.在有过量氧存在下于800℃灼烧,得纯度99.99%~99.999%高纯产品.
电子工业半导体材料制备
高纯分析试剂
阴凉、干燥的库房内贮藏,以避免物质变质或丢失安全性.
无毒,避免接触或吸入其气体以确保安全使用.
| 中文名 | 氧化镓 |
| 英文名 | Gallium(III) oxide |
| 别名 | 氧化镓 三氧化二镓 氧化镓(III) 氧化镓 (METALS BASIS) 氧化镓,99.99% |
| 英文别名 | Galliumoxide galliumtrioxide Gallium(Ⅲ) oxide GalliuM(Ⅵ) oxide digallium trioxide Gallium(III) oxide Galliumoxidewhitepowder oxo-oxogallanyloxy-gallane digallium oxygen(-2) anion Gallium(III) oxide (Ga2O3) |
| CAS | 12024-21-4 |
| EINECS | 234-691-7 |
| 化学式 | Ga2O3 |
| 分子量 | 187.44 |
| InChI | InChI=1/2Ga.3O/rGa2O3/c3-1-5-2-4 |
| InChIKey | QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N |
| 密度 | 6.44g/mLat 25°C |
| 熔点 | 1740 °C |
| 水溶性 | Soluble in acids. Insoluble in water |
| 溶解度 | 微溶于热酸及碱,不溶于水 |
| 折射率 | 1.92 |
| 存储条件 | Sealed in dry,Room Temperature |
| 稳定性 | 稳定。与镁不相容。 |
| 外观 | 粉末或块状 |
| 比重 | 6.44 |
| 颜色 | White |
| Merck | 14,4346 |
| MDL号 | MFCD00011020 |
| 安全术语 | 24/25 - 避免与皮肤和眼睛接触。 |
| WGK Germany | 2 |
| RTECS | LW9650000 |
| TSCA | Yes |
| 海关编号 | 28259090 |
白色三角形结晶颗粒、白色小粒三角晶体
有六方晶系的a型和单斜晶系的p型
在氢氧流中加热至红色还原成一氧化镓,微溶于热酸及碱,不溶于水
相对密度为6. 48(a型)、5.88(p型),熔点1900℃
将三氯化镓溶于热水中,加入碳酸氢钠的高浓度热溶液,煮沸至镓盐全部转变为氢氧化镓沉淀,用热水洗涤.然后,于600℃灼烧,得p型氧化镓.
或将高纯金属镓作为阳极进行电解,使镓溶于5%~20%硫酸中,得到硫酸镓溶液.过滤后,在滤液中加氨水,加热浓缩,冷却得硫酸镓铵结晶.
用水反复重结晶,于105℃干燥.在有过量氧存在下于800℃灼烧,得纯度99.99%~99.999%高纯产品.
电子工业半导体材料制备
高纯分析试剂
阴凉、干燥的库房内贮藏,以避免物质变质或丢失安全性.
无毒,避免接触或吸入其气体以确保安全使用.
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