硒化钨(IV)
硒化钨(IV)(Tungsten selenide)
CAS: 12067-46-8
化学式: WSe2
| 中文名 | 硒化钨(IV) |
| 英文名 | Tungsten selenide |
| 别名 | 硒化钨 二硒化钨 硒化钨WSE2 硒化钨(IV) |
| 英文别名 | Tungsten selenide TUNGSTEN DISELENIDE TUNGSTEN (IV) SELENIDE |
| CAS | 12067-46-8 |
| EINECS | 235-078-7 |
| 化学式 | WSe2 |
| 分子量 | 341.77 |
| 密度 | 9.32 |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 外观 | 粉末，10 μ m |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.2 mg/m3; TWA 3 mg/m3 NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 5 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3; STEL 10 mg/m3 |
| 物化性质 | 化学性质 二硒化钨是一种黑色或灰色的固体粉末，摩尔质量为341.76g/mol，晶体为六方层状结构，密度为9.32g/cm3，热传导性能较差。其热传导率约是热传导性能较好的钻石的十万分之一。此外，硒化钨（WSe2）带隙处于宽隙半导体与零带隙石墨烯之间，具有优良的电学、光学性能以及高量子产率。 |
| MDL号 | MFCD00049703 |
| 危险品运输编号 | UN3283 - class 6.1 - PG 3 - EHS - Selenium compound, solid, n.o.s., HI: all (not BR) |
| RTECS | YO7714000 |
| TSCA | Yes |
| Hazard Class | 9 |
硒化钨(IV) - 介绍
科学家发现．二硒化钨(WSe2)的热传导率大约是热传导率最好的钻石的10万分之一，是世界上热传导率最低的材料。二硒化钨薄膜的热传导率比单晶态的二硒化钨更差．大概只有热传导率最好的钻石的10万分之一。这个新材料不但具有像多孔状物质那样的热传导率．更重要的是，它的密度很高．大概跟铜差不多。 在应用中．材料的热传导率低，表示系统中的热不易散失，换句话说，就是系统的能量转换效率会更高。因此这个新材料的应用．将很有可能大幅度提高能源的使用效率。
最后更新：2022-10-16 17:30:07
硒化钨(IV) - 性质
硒化钨(IV)。它具有如下性质：
1. 结构稳定性：硒化钨(IV)的晶体结构呈现出丧失了钨原子的中心对称性，呈现出一种层状结构。
2. 化学稳定性：硒化钨(IV)在常温下相对稳定，不易受到氧气、水或酸的影响。
3. 热稳定性：硒化钨(IV)具有相对较高的热稳定性，能够在高温下保持其结构完整性。
4. 电子性质：硒化钨(IV)具有半导体性质，它的电导率随着温度的增加而增加。
5. 光学特性：硒化钨(IV)具有较宽的能带隙，在可见光范围内表现出良好的光学透明性。
6. 化学反应性：硒化钨(IV)可以通过化学反应与其他物质发生反应，如与氧气反应产生二氧化钨和二氧化硒。
1. 结构稳定性：硒化钨(IV)的晶体结构呈现出丧失了钨原子的中心对称性，呈现出一种层状结构。
2. 化学稳定性：硒化钨(IV)在常温下相对稳定，不易受到氧气、水或酸的影响。
3. 热稳定性：硒化钨(IV)具有相对较高的热稳定性，能够在高温下保持其结构完整性。
4. 电子性质：硒化钨(IV)具有半导体性质，它的电导率随着温度的增加而增加。
5. 光学特性：硒化钨(IV)具有较宽的能带隙，在可见光范围内表现出良好的光学透明性。
6. 化学反应性：硒化钨(IV)可以通过化学反应与其他物质发生反应，如与氧气反应产生二氧化钨和二氧化硒。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
硒化钨(IV) - 用途与合成方法
硒化钨(IV)是一种重要的无机化合物，具有多种应用和合成方法。
硒化钨(IV)的应用方面包括：
1. 电子器件：硒化钨(IV)可用作金属氧化物场效应晶体管的通道材料，具有高电导率和稳定性。
2. 光催化剂：硒化钨(IV)可用作光催化剂，用于光解水产生氧气和氢气，具有高效能和环境友好性。
3. 电池材料：硒化钨(IV)可用作锂离子电池的正极材料，提高电池的性能和循环寿命。
4. 光电材料：硒化钨(IV)可以制备光电器件，如光电二极管和太阳能电池。
硒化钨(IV)的合成方法有多种途径：
1. 水热法：将适量的钨粉和硒粉溶解于水溶液中，然后加热反应，通过控制温度、反应时间和硒、钨的摩尔比例，可以得到硒化钨(IV)的纳米颗粒或晶体。
2. 气相沉积法：以金属钨或钨酸盐为原料，在高温下与硒源反应，生成硒化钨(IV)。
3. 化学气相沉积法：通过在适宜的条件下，使钨和硒化氢在氢气载体气氛中反应，制备硒化钨(IV)的纳米颗粒。
硒化钨(IV)的应用方面包括：
1. 电子器件：硒化钨(IV)可用作金属氧化物场效应晶体管的通道材料，具有高电导率和稳定性。
2. 光催化剂：硒化钨(IV)可用作光催化剂，用于光解水产生氧气和氢气，具有高效能和环境友好性。
3. 电池材料：硒化钨(IV)可用作锂离子电池的正极材料，提高电池的性能和循环寿命。
4. 光电材料：硒化钨(IV)可以制备光电器件，如光电二极管和太阳能电池。
硒化钨(IV)的合成方法有多种途径：
1. 水热法：将适量的钨粉和硒粉溶解于水溶液中，然后加热反应，通过控制温度、反应时间和硒、钨的摩尔比例，可以得到硒化钨(IV)的纳米颗粒或晶体。
2. 气相沉积法：以金属钨或钨酸盐为原料，在高温下与硒源反应，生成硒化钨(IV)。
3. 化学气相沉积法：通过在适宜的条件下，使钨和硒化氢在氢气载体气氛中反应，制备硒化钨(IV)的纳米颗粒。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
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