内光电效甲步空吸犯却应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与来自外光电效应的区别，外光电效面续日固饭弱永应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下，金属会吸收光子并发射电子，发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值（相等于光的频率高于某一临界值）时方能发射电子，其织行关书容溶回没旧临界值即极限频率和极限波长图张互第存临结。
内光电效应
半导体材料的价带与导带间有一个360问答带隙，其能量间隔为Eg势慢往技划区八较找风听。一般情况下，价带中的电子不保协正相经管会自发地跃迁到导带，所以半导体材料的导电性远真宽浓不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量，就可以将其激发到导带中，形成载流子，增加导电性。光照就是一种激励方式。
光导管（又称光敏电阻）就是利用内光电效应制成的半导体器件。像硫化镉、硫化铅、硫化铟、硒化镉、硒化铅的那个均是半导体光导管。
以上内容参考：百度百科-内光电效应
