空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述p型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。所述空穴传输层的制备方法包括：将M1X、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄膜层；一次退火处理；薄膜层置入含AX的有机溶液，经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层。本发明专利技术还公开了一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括空穴传输层。本发明专利技术另公开了一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，并公开一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。
