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离子束刻蚀分为物理离子束刻蚀和反应离子束刻蚀。(Ga 原子量植套听房粮首团地控站69.72)，当高能束轰击样蛋外矿目班例品时，动量会传递给样品中的原子或者分子，产生溅射效应。选择合适的离子束流，可以对不同材料的样品实施告诉微区刻蚀席松市素眼小掌诉。利用聚焦离子束可以对纳米级材料如，氧化锌纳米带进行加工，可以在光纤上刻蚀周期结构图案。
如将一些卤化总定族雨并永头意物气体直接导向样品表面，在离子束轰击下，可以实现增强刻蚀:高能离子束将气体等离子化-活华仍期化， 这些基团与样迅死药品物质发生化学反应后的物质是来自易挥发性的，当脱离样品表面时，就被真空抽走了。反应离子刻蚀技术在刻蚀速率，材料的选择性，深孔测壁的垂直性商，都比物理离子束刻蚀有大幅度提高
