硅基氮化镓半导体器件有何优势？

最主要的优势是在性能上面。相对于LDMOS器件，硅基氮化镓半导体器件的能量效率有差不多5.5%至10%，也与碳化硅基氮化镓器件的射频能量效率相当。另外，线性度不同于碳化硅基，适合基站的复杂数字信号调制，在达到同样的线性要求时，硅基氮化镓在效率上的妥协就会相对较少一点。所以线性度是硅基氮化镓在性能上的另外一个优势。除此之外还有功率密度性能优势。因为氮化镓的功率密度比LDMOS或普通硅基高4到5倍。因此，同样尺寸的晶圆产出的器件就比LDMOS高4到5倍，同时硅基和碳化硅基氮化镓的功率密度是相同的，但是碳化硅基氮化镓的材料特性不支持八寸及以上的晶圆，现在主流的晶圆都在四寸上，而硅基氮化镓材料特性支持八寸及以上晶圆，这对成本的降低是决定性的。长期来看，硅基氮化镓的性能优势越来越明显，将会优于现在主流的射频器件。