什么是纳米碳化硅？

纳米碳化硅具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。 SiC 纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明：微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、金属基和聚合物基复合材料，这些复合材料均表现出良好的机械性能，可以想象用强度硬度更高及长径比更大的SiC 一维纳米材料作为复合材料的增强相，将会使其性能得到进一步增强。SiC一维纳米材料具有阈值场强低，电流密度大，高温稳定性好等优异特点可望作为电场发射材料，利用这一特性可制成第三代新型电子光源，并将在图像显示技术方面发挥巨大作用。随着研究的深入，研究者还发现一维SiC纳米结构在储氢、光催化和传感等领域都有广泛的应用前景。 特点： 1、纳米碳化硅粉体具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积等特点; 2、本产品具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点; 3、显微硬度为2840～3320kg/mm2, 其硬度介于刚玉和金刚石之间, 机械强度高于刚玉; 4、纳米碳化硅具有优良的导热性能，还是一种半导体，高温时能抗氧化。