砷化铟的功能用途

InAs晶体具有较高的电子迁移率小弱让美践些松责和迁移率比值(μe/来自μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的360问答发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测小重缩组器。