模拟电子技术基础 为什么在高掺杂的情况下，耗尽层（空请护盟氧背站呀间电荷区）宽度很窄

按照半导体物理学，耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然，掺杂越来自多，耗尽层就越宽。
你用的模拟电子技术基础写错了。
老旧模电书写错的地方海360问答多了。
这是因为，半导体物理学是模拟电子学的基础。但是老旧模拟电子技术教科书，基本上没怎么用半导体物理学。
所谓，基础不牢地动山摇呀！