功能/应用范围：
二次电子图象、背散射电子图象，材料、生物、矿物、半导体等的型貌，金相样品、断口样品的表面型貌观察。微区主要技术指标：
HV 方式 分辨率（SEI) 3.0 nm (Acc.V 30KV ,WD 6mm)
放大倍数 X18 (48 mm) 到 3000000 （136 steps ,digital indication)
图象方式 SEI BEI 探测电流 1pA 到 1uA
LV 方式 分辨率 （BEI) 4.5nm (Acc.V 30KV,WD 8mm)
图象方式 三种BEI 方式（Composition image,Topographic image and Shaded image)
技术特色：
二次电子图象、背散射电子图象，材料、生物、矿物、半导体等的型貌，金相样品、断口样品的表面型貌观察。
