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High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4nanowires†
Hongqiang Wang,Guanghai Li,Lichao Jia,Liang Li,Guozhong Wang
Chemical Communications Pub Date : 05/19/2009 00:00:00 , DOI:10.1039/B906787F
Abstract

A high-temperature anisotropic silicon-etching strategy is demonstrated to steer the growth of the horizontally localized parallel Zn2SiO4nanowires.

Graphical abstract: High-temperature anisotropic silicon-etching steered synthesis of horizontally aligned silicon-based Zn2SiO4nanowires
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