高真空离子束溅射设备原理

离子束刻蚀分为物理离子束刻蚀和反应离子束刻蚀。(Ga 原子量69.72)，当高能束轰击样品时，动量会传递给样品中的来自原子或者分子，产生溅射效应。选择合适的离子束流，可以对不同材料的样品实施告诉微区刻蚀。利用聚焦离子束可以对纳米级材料如，氧化锌纳米带进行加工，可以在光纤上刻蚀周期结构图案。
如将一些卤化物气体直接导向样品表面，在离子束轰击下，可以实现增强刻蚀:高能离子束将气体等离子化-活化， 这些基团与样品物质发生化学反应后的物质是易挥发性的，当脱离样品表面时，就被真空抽走了。反应离子刻蚀技术在刻蚀速率，材料的没章失程路助祖让开映钢选择性，深孔测壁的垂直性商，都比物理离子束刻蚀有大幅度提高。
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